光デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-202509
公開番号（公開出願番号）：特開2008-065317
出願日： 2007年08月03日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】本発明は、2DPCスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に対して、信頼性の高い電極製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意し、コア層上の一部に第1の電極を形成し、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布し、第1の基板の第1の電極が形成された側と第2の基板とを接合し、接合した第1の基板と第2の基板とを加熱し、コア層及び第1の電極を残して第1の基板を除去し、コア層上の一部に第2の電極を形成し、コア層にエッチングにより複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成し、エッチングにより第1の電極の一部を露出し、第1及び第2の電極に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法である。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

光デバイスのコア層となるべき部位を有する第1の基板と光デバイスを集積させるための第2の基板を用意する工程と、コア層上の一部に第1の電極を形成する工程と、第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSODを塗布する工程と、第1の基板の第1の電極が形成された側と第2の基板とを接合する工程と、接合した第1の基板と第2の基板とを加熱する工程と、コア層及び第1の電極を残して第1の基板を除去する工程と、コア層上の一部に第2の電極を形成する工程と、エッチングによりコア層に複数の溝又は貫通孔を有する構造を形成する工程と、エッチングにより第1の電極の一部を露出させる工程と、第1及び第2の電極に接続する電極配線を形成する工程とを含む、光デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

G02B 6/13 , G02B 6/12 , G02B 6/122 , H01L 33/00 , H01S 5/042

FI (5件)：

G02B6/12 M , G02B6/12 Z , G02B6/12 B , H01L33/00 E , H01S5/042 612

Fターム (56件)：

2H147AB05 , 2H147AB09 , 2H147AC01 , 2H147AC02 , 2H147BA01 , 2H147BA05 , 2H147BA15 , 2H147BA17 , 2H147BF02 , 2H147BF03 , 2H147BF14 , 2H147DA08 , 2H147EA10D , 2H147EA12A , 2H147EA12B , 2H147EA12C , 2H147EA13C , 2H147EA14D , 2H147EA15C , 2H147EA16D , 2H147EA25B , 2H147EA35D , 2H147EA39D , 2H147EA42A , 2H147FA03 , 2H147FA09 , 2H147FA17 , 2H147FA25 , 2H147FB07 , 2H147FC01 , 2H147FC02 , 2H147FC06 , 2H147FC07 , 2H147FD14 , 2H147FD15 , 2H147FF05 , 2H147GA10 , 2H147GA15 , 2H147GA16 , 2H147GA28 , 5F041AA21 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA91 , 5F041CA98 , 5F041CB31 , 5F173AB90 , 5F173AD30 , 5F173AG20 , 5F173AK22 , 5F173AP71 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AR99

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