特許

J-GLOBAL ID：200903084037551656

ホトレジスト硬化方法およびホトレジスト硬化装置

発明者： 高原 正樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102029
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】ホトレジスト中で残留ガスによる発泡が生じることを防止し、耐熱性、耐ドライエッチング性が極めて高いレジスト硬化層を高速かつ安定に形成し得るホトレジスト硬化方法を提供する。【構成】ホット・プレート上に載置された半導体ウェハー上のポジ型ホトレジストに遠紫外線を照射してホトレジストを硬化させるホトレジスト硬化方法において、半導体ウェハー1を真空中に保った状態で、遠紫外線を照射し、さらに、ホット・プレート11を時間の経過と共に一定の割合で昇温させながらホトレジストを硬化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ホット・プレート上に載置された半導体ウェハー上のポジ型ホトレジストに遠紫外線を照射してホトレジストを硬化させるホトレジスト硬化方法において、半導体ウェハーを真空中に保った状態で、遠紫外線を照射し、さらに、ホット・プレートを一定の割合で昇温させながらホトレジストを硬化させることを特徴とするホトレジスト硬化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26

FI (2件)：

H01L 21/30 361 Q ,  H01L 21/30 361 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-234528
  
• 特開昭63-092021
  
• 特開昭63-260028