特許

J-GLOBAL ID：200903084038559952

ドライエツチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-042414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003181
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 逆テーパー状の断面形状を有するレジスト・マスクを用いるドライエッチングにおいて、寸法変換差の発生を抑制する。【構成】 ネガ型化学増幅系レジスト材料により形成されたフォトレジスト・パターン4は、感光特性によりしばしば逆テーパー形状となる。そこで、S2F2 /H2 S混合ガス系を用いたプラズマ処理により傾斜側壁部4aにS(イオウ)を堆積させてマスクの断面形状をほぼ矩形に整形した後、S2 F2 を用いてDOPOS層3をエッチングする。これにより、ラジカルによる側方攻撃の影響を受けず、フォトレジスト・パターンの最上面の幅D1 と等しい幅を有するゲート電極3aが形成できる。条件の工夫により、断面形状の整形とDOPOS層3のエッチングとを競合させながら行うことも可能である。

請求項（抜粋）：

パターン幅が膜厚方向の最上面から最下面へ向けて小とされることにより傾斜側壁部が形成されてなるレジスト・パターンをマスクとして被エッチング材料層のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記傾斜側壁部に放電反応生成物を堆積させて該傾斜側壁部を前記被エッチング層に対して略垂直に整形した後、該被エッチング材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。