特許
J-GLOBAL ID:200903084041233960
アクテイブマトリクス基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-179905
公開番号(公開出願番号):特開平5-027259
出願日: 1991年07月19日
公開日(公表日): 1993年02月05日
要約:
【要約】【目的】 走査線の線幅を広くすることなく、走査線と絵素電極との間のリークを防止でき、結果的に付加容量の形成に寄与しない寄生容量を低減でき、かつ開口率を大きくでき、表示装置に組み込んだ場合に、表示品位の向上が図れるアクティブマトリクス基板を実現する。【構成】 ゲートバスライン10を下層ゲートバスライン10aの上に線幅がこれよりも若干幅広になった上層ゲートバスライン10bを積層した2層構造で形成する。下層ゲートバスライン10aの上に、上層ゲートバスライン10b、ゲート絶縁膜50、ゲート保護膜第1層54、ゲート保護膜第2層55およびゲート保護膜第3層を挟んで絵素電極40の一端部を重畳し、重畳部に付加容量電極40aを形成する。以上の構造により、ゲートバスライン10と絵素電極40との間のリークの発生確率を低減しつつ、ゲートバスライン10全体の線幅を小さくする。
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に格子状に配線された走査線および信号線と、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれに配置された絵素電極と、該走査線、該信号線および該絵素電極にそれぞれ電気的に接続されたスイッチング素子と、少なくとも1層の絶縁膜を挟んで該走査線に隣接する走査線と該絵素電極の一部との間に重畳された付加容量とを備えたアクティブマトリクス基板において、該走査線が単層あるいは多層の下層走査線に該下層走査線よりも線幅が幅広になった上層走査線を重畳した多層構造を有し、かつ該付加容量を形成する該絵素電極の一部が、該上層走査線、該絶縁膜及び該下層走査線の付加容量電極となる部分を覆うように形成された少なくとも1層の保護層を挟んで該下層走査線上に重畳されたアクティブマトリクス基板。
IPC (4件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, H01L 27/12
, H01L 29/784
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