特許
J-GLOBAL ID:200903084041374033
電圧降下解析システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-395395
公開番号(公開出願番号):特開2002-197139
出願日: 2000年12月26日
公開日(公表日): 2002年07月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体集積回路の電圧降下解析の精度を向上させる。【解決手段】 1つのメガセル60全体の消費電流を、複数の定電流源64として分割し、これら複数の定電流源64をメガセル内の電源配線62に対して均等に割り付けて、メガセル60をモデル化する。このモデル化したメガセル60を半導体集積回路内のメガセルとして付与した後に、この半導体集積回路の電圧降下解析を行う。
請求項(抜粋):
半導体集積回路内に配置されたセルを、このセル内部の消費電流の分布を考慮してモデル化する、第1モデル化手段と、前記第1モデル化手段によりモデル化された回路網に基づいて、電圧降下解析を行う、解析手段と、を備えることを特徴とする電圧降下解析システム。
IPC (3件):
G06F 17/50 666
, G06F 17/50 662
, H01L 21/82
FI (5件):
G06F 17/50 666 Z
, G06F 17/50 662 G
, H01L 21/82 B
, H01L 21/82 C
, H01L 21/82 T
Fターム (8件):
5B046AA08
, 5B046DA05
, 5B046JA04
, 5F064BB09
, 5F064BB13
, 5F064BB15
, 5F064HH10
, 5F064HH12
引用特許:
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