特許
J-GLOBAL ID：200903084054007331
多結晶薄膜の製造装置と製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210777
公開番号（公開出願番号）：特開平7-065642
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することと、この結晶配向性に優れた多結晶薄膜を高速成膜すること、および、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、ターゲットから発生させた粒子を基材A上に堆積させ、基材A上に前記粒子からなる多結晶薄膜Bを製造する装置において、前記基材Aを支持する基材ホルダ11と、この基材ホルダ11に対向配置されたターゲット12と、このターゲット12にエネルギーを付加してターゲットの構成粒子を前記基材に向けて噴出させる発生装置14と、前記基材ホルダ11に支持された基材の成膜面の法線に対して斜め方向から50〜60度の入射角度で基材Aにイオンビームを照射するとともに、前記成膜面の法線周りに90度または180度間隔で配置された複数のイオンガン13A、13Bを具備してなる。
請求項（抜粋）：
ターゲットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上に前記粒子からなる多結晶薄膜を製造する装置において、前記基材を支持する基材ホルダと、この基材ホルダに対向配置されたターゲットと、このターゲットにエネルギーを付加してターゲットの構成粒子を前記基材に向けて噴出させる発生装置と、前記基材ホルダに支持された基材の成膜面の法線に対して斜め方向から50〜60度の入射角度で基材にイオンビームを照射するとともに、前記成膜面の法線周りに90度または180度間隔で配置された複数のイオンガンを具備してなることを特徴とする多結晶薄膜の製造装置。
IPC (2件)：
H01B 12/06 ZAA
, C30B 29/22 501
