特許
J-GLOBAL ID：200903084055539175
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166813
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 スタッドバンプ法により形成されるバンプ電極を含む半導体装置において、ワイヤー切断の際のチップ表面の配線の破損を防止する。【構成】 電極パッド16のワイヤーが折り返される側に隣接する配線19は電極パッドから60μmの距離をおいて設けられている。キャピラリー10によって切断されたワイヤー20が半導体チップ40の表面に押し当てられているが、ワイヤーが折り返される側に隣接する配線19はバンプ電極60が形成される電極パッド16から充分離されているので、ワイヤー20が配線19に押し当てられることはない。従って、配線19上の表面保護膜22が破損することもない。
請求項（抜粋）：
キャピラリーの先端から導出されたワイヤーの先端にボールを形成し、そのボールを電極パッド上に圧着して形成されたバンプ電極の底部と前記底部から延びるワイヤーを折り返して形成された頭頂部とからなるバンプ電極を有する半導体装置において、前記ワイヤーの直径をW、前記キャピラリーの先端環状部の幅をRとした場合、前記電極パッドの前記ワイヤーが折り返される側に隣接する配線または有機樹脂膜は前記電極パッドから少なくともW+Rの距離をおいて設けられている半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
