特許

J-GLOBAL ID：200903084060244914

半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法

発明者： 勝山 造
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186532
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037067
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 自然超格子の制御のための傾斜面を形成した多波長半導体レーザ。【構成】 この半導体レーザは、基板101上に凹状層102を設け、凹状層102上にレーザー共振器110,120を複数備えている。これらの半導体レーザは、基板101の表面に、結晶成長を阻止するマスクを凹状層102の形成すべき幅に応じてパターン形成し、基板101の表面に原料ガスを供給して基板101上に凹状層102を気相成長させた後に、半導体層を結晶成長させ、レーザー共振器を複数形成することで製作されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に湾曲した凹状層を設け、この凹状層上にレーザー共振器を複数備えてなる半導体レーザ。