特許

J-GLOBAL ID：200903084063965400

半導体装置

発明者： 舘 宏 ,  菊地 広
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160198
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 信頼性を向上する。【構成】 MCC構造の半導体装置において、バンプ電極3と搭載基板13との間に弾性配線基板5を設け、この弾性配線基板5のバンプ電極3の配列間に相当する位置を支持する。【効果】 バンプ電極3に係る応力は、前記弾性配線基板5のたわみによって吸収されるので、バンプ電極3への応力集中を低減することができる。

請求項（抜粋）：

搭載基板、該搭載基板の周囲に接着層を介して固着されたキャップの夫々でキャビティを構成し、該キャビティ内に半導体ペレットを封止し、該半導体ペレットと前記キャップの間を接着層を介して固着し、前記半導体ペレットと前記搭載基板との間をバンプ電極を介して電気的に接続した半導体装置において、前記バンプ電極と搭載基板との間に弾性配線基板を介在させ、該弾性配線基板のバンプ電極の配列間に相当する位置を支持したことを特徴とする半導体装置。