特許
J-GLOBAL ID：200903084068121153
基板突き上げ機構
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258504
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102259
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、高温に加熱される電極において、処理中に電極上で基板裏面とピンとピン穴で形成されるすき間を最小にするとともに、電極が膨張しても確実に動作し、放電の回り込みを防止する基板突き上げ機構を提供する。【解決手段】 ピン昇降ガイド18を電極3の裏面に設けることでピン19とピン穴20とピン昇降ガイド18を同心に設けるとともに、ピン19とピン昇降手段42との連結部においてピン19の昇降方向のみを拘束することで基板裏面とピン19とピン穴20の隙間を最小にする。
請求項（抜粋）：
真空状態で処理ガスのプラズマによって基板(10)を処理する反応室(1)内で、上記基板を載置しかつ基板加熱手段(2)と電極昇降手段(16)を有した電極(3)に対して上記基板を昇降させる基板突き上げ機構において、上記電極の貫通穴(20)を貫通する基板突き上げ用ピン(19)と、上記電極に備えられ、かつ、貫通穴を有して該貫通穴内で上記ピンが同心状態で昇降して上記ピンの昇降を案内するピン昇降ガイド(18)と、上記ピンに対して、上記ピンの昇降方向には一体的に移動する一方、上記基板加熱手段により上記電極が加熱されるときの上記電極の熱膨張に応じて上記昇降方向とは異なる方向には移動可能に連結された駆動部(23,22)を昇降駆動して上記ピンを昇降駆動させるピン昇降駆動機構(21,42)と、を備えるようにしたことを特徴とする基板突き上げ機構。
IPC (6件)：
C23C 16/44
, C23F 4/00
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/3065
, H01L 21/68
, H01L 21/205
C23C 16/44 H
, C23C 16/44 F
, C23F 4/00 Z
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/68 N
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
