反射型表示素子及び反射型表示素子を用いた映像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137246
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】照射光照度を大きくしても、フリッカが無く、かつ光利用効率低下や輝度ムラの少ない良好な画像を得ることができる反射型液晶表示装置の提供を目的とする。【解決手段】画素スイッチング素子が対をなすnチャネルMOSトランジスタ6及びpチャネルMOSトランジスタ7からなる。MOSトランジスタ6,7のドレイン電極6b,7bが信号線11に電気的に接続され、MOSトランジスタ6,7のソース電極6c,7cが画素電極19に電気的に接続されている。p型結晶シリコン基板2上には、画素電極19に電気的に接続された保持容量部8が設けられている。MOSトランジスタ6で発生する光電流と、MOSトランジスタで発生する光電流とが、相互に相殺する方向に流れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、透明電極を備えた透明な対向基板と、前記半導体基板と前記対向基板との間に配置された光変調層とを備え、前記半導体基板上には、マトリクス状の画素配列に対応してマトリクス状に配線された信号線と走査線の各交差位置に画素スイッチング素子が形成され、この画素スイッチング素子の上方には、各画素毎に設けられ前記画素スイッチング素子を介して前記信号線に電気的に接続された画素電極と、反射層とが、この順序で積層状に形成されており、前記透明電極と前記画素電極との間に電圧を印加し、この印加電圧に応じて光変調層の光学的状態を変化させて表示を行う反射型表示素子であって、前記半導体基板上には、各画素毎に、前記画素電極に電気的に接続された保持容量部が設けられ、更に、前記半導体基板上には、各画素毎に、前記画素電極に電気的に接続され光照射により光電流を発生する光電変換素子が設けられ、この光電変換素子で発生する光電流が、前記画素スイッチング素子で発生する光電流を相殺する方向に流れることを特徴とする反射型表示素子。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/135 , G09F 9/35 302

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/135 , G09F 9/35 302

Fターム (72件)：

2H092GA18 , 2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB38 , 2H092JB52 , 2H092JB57 , 2H092KA03 , 2H092KA12 , 2H092KB28 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA25 , 2H092NA05 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092NA25 , 2H092NA26 , 2H092NA29 , 2H092PA12 , 2H092QA07 , 2H092QA18 , 2H092RA05 , 5C094AA03 , 5C094AA04 , 5C094AA10 , 5C094AA15 , 5C094AA25 , 5C094AA53 , 5C094AA54 , 5C094BA03 , 5C094BA16 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA20 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA06 , 5C094EB02 , 5C094EB05 , 5C094ED03 , 5C094ED11 , 5C094ED13 , 5C094ED15 , 5C094ED20 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB16 , 5C094JA01 , 5C094JA08

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-204726
反射型液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-018641 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-148627

全件表示

前のページに戻る