特許

J-GLOBAL ID：200903084078391175

電界効果トランジスタ

発明者： 國弘 和明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088353
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル層と半絶縁性基板との界面のトラップに起因したデバイス寄生効果を抑制する。【構成】 半絶縁性化合物半導体基板上にエピタキシャル成長によって形成された電界効果トランジスタにおいて、エピタキシャル層の半絶縁性基板11に接する領域が、活性層とは逆の導電型の半導体層13で形成されており、その不純物濃度が1×1017cm-3以上でかつ完全に空乏化する厚さとなっている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性化合物半導体基板上にエピタキシャル成長によって形成された電界効果トランジスタにおいて、エピタキシャル層の半絶縁性基板に接する領域が、活性層とは逆の導電型の半導体層で形成されており、その不純物濃度が1×1017cm-3以上でかつ完全に空乏化する厚さであることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-174247
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145010   出願人：横河電機株式会社