特許
J-GLOBAL ID：200903084084195132
導波形多重量子井戸光制御素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048047
公開番号（公開出願番号）：特開平8-248363
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】素子容量やスポット径を独立に最適化し、低電圧動作、広帯域幅、低挿入損失で高性能な小型の光制御素子を得る。【構成】MQW半導体装置のMQW3両側を別の半導体層2,4で挾んで形成した導波構造を、不純物添加した異なる導電形の半導体層6,7で垂直面内で挾み、厚さ11〜14nmの井戸層に0.3〜0.5%の引っ張り応力を導入する。
請求項（抜粋）：
第1と第2のバンドギャップを、それぞれ有する第1と第2の半導体層からなり、その厚さがボーア半径より薄い多層異種構造から構成される多重量子井戸半導体装置における上記多重量子井戸層の両側を、第1の半導体と同等か、それより小さい屈折率をもつ第3の半導体で挾んだ導波構造を形成し、上記導波構造を上記各層に垂直な面内で挾んで、互いに一方を他方とはその導電形が異なるように不純物を添加して、外部から上記多重量子井戸層に平行に電圧を印加できるようにした導波形多重量子井戸光制御素子において、上記井戸層の厚さを11nmから14nmとし、かつ、上記井戸層に引っ張り応力を0.3%から0.5%導入したことを特徴とする導波形多重量子井戸光制御素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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