特許

J-GLOBAL ID：200903084085151325

半導体装置の製造方法

発明者： 武藤 嘉男
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-120150
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297678
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 チタンを含むバリヤメタル膜及びこれを介して形成されたタングステン膜をエッチングする際に、徒に工程を複雑化させることなく不要な生成物の再付着を容易且つ確実に防止し、半導体装置の歩留まりや信頼性を大幅な向上させる。【解決手段】 バリヤメタル膜5及びこれを介して堆積形成されたタングステン膜2をエッチングする際に、タングステン膜2に続いてバリヤメタル膜5をエッチングした後に、プラズマ放電を継続させた状態でエッチング装置内にAr,He等の不活性ガスを導入し、シリコン半導体基板4をプラズマに曝す。【効果】 不活性ガスの高エネルギーのプラズマにより、タングステン膜2やその近傍の層間絶縁膜3への不要な生成物の再付着が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にチタンを含む膜を介して高融点金属を含む膜が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、フッ素を含むエッチングガスが励起されたプラズマ中で、前記高融点金属を含む膜をエッチングする第1の工程と、前記第1の工程の後、塩素を含むエッチングガスが励起されたプラズマ中で、前記チタンを含む膜をエッチングする第2の工程と、前記第2の工程の後、プラズマ放電を継続させた状態で、不活性ガスが励起されたプラズマ中に、前記半導体基板を曝す第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D