特許
J-GLOBAL ID：200903084086890512
サージ吸収回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287897
公開番号（公開出願番号）：特開平10-136564
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 サージ吸収素子としてのツェナーダイオードのツェナー電圧を下げることができ、電力容量の小さいツェナーダイオードを使用できるサージ吸収回路を提供する。【解決手段】 サージ吸収回路はバッテリー4、アクチュェータ駆動用のソレノイドバルブ2、ソレノイド駆動用のFET1、サージ吸収素子としてのツェナーダイオード3、電流逆流防止用としてのダイオード5などから構成される。FET1がオンからオフになったときには、ソレノイドバルブ2に蓄えられていたエネルギーがツェナーダイオード3とダイオード5を経てソレノイドバルブ2の他端に転流する。
請求項（抜粋）：
スイッチング素子により誘導負荷を駆動するシステムにおいて前記誘導負荷によるバックサージを前記スイッチング素子の耐電圧より低い所定のクランプ電圧でクランプすることによって前記スイッチング素子を保護するサージ吸収回路において、ツェナーダイオードと逆流防止用ダイオードとを直列に接続してなるクランプ部を、前記誘導負荷と前記スイッチング素子の間と、前記システムの正電位との間に接続したことを特徴とするサージ吸収回路。
IPC (7件)：
H02H 9/04
, B60T 8/34
, G05F 1/56 330
, H02H 7/20
, H02M 1/00
, H03K 17/16
, H03K 19/003
H02H 9/04 A
, B60T 8/34
, G05F 1/56 330 C
, H02H 7/20 D
, H02M 1/00 F
, H03K 17/16 F
, H03K 19/003 E
