特許

J-GLOBAL ID：200903084086913806

ITOスパツタリングタ-ゲツトの製造方法

発明者： 中島 光一 ,  佐藤 則秋
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石
代理人 (1件)： 今井 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148638
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリング作業中における成膜速度の低下やア-キング発生等による成膜操作の不安定化を懸念することのない、均質で価格的にも有利な高品質ITO焼結タ-ゲットを安定に製造できる手段を確立する。【構成】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法によりITOタ-ゲットを製造するに際し、原料たる酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末として平均粒径が 0.1μmを超え5μm以下のものを使用すると共に、焼結を酸素含有雰囲気(加圧酸素雰囲気を含む)中で実施し、焼結後の密度D(g/cm3)を5.50 ≦ D ≦ 7.23なる式、或いは該密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm) を上記式と-0.0676D+0.887 ≧ ρ ≧ -0.0761D+0.666の2つの式で表される範囲に調整する。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法によりITOスパッタリングタ-ゲットを製造するに際して、原料たる酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末として平均粒径が 0.1μmを超え5μm以下のものを使用すると共に、焼結を酸素含有雰囲気中で実施し、焼結後の密度D(g/cm3)を下記式で表される範囲に調整することを特徴とする、ITOスパッタリングタ-ゲットの製造方法。5.50 ≦ D ≦ 7.23 。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-207858
  
• 特開平2-297812
  
• 特開平2-297813