特許

J-GLOBAL ID：200903084090256925

化合物半導体結晶ウエハ表面へのAs2S3膜形成方法

発明者： 谷 毅彦 ,  坂口 春典 ,  目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102128
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】As2 S3 絶縁膜をGaAs結晶上に形成しても界面準位が少なく、良好なMIS構造を得る。【構成】アンドープGaAs結晶ウェハを、H2 SO4 :H2 O2 :H2 O=1:8:500でエッチングする。エッチング後、HF溶液に1分以上浸漬して、Ga2 O3 、As2 O3 等からなる自然酸化膜をエッチングしてウェハ表面をAsリッチにする。その上で、(NH4 )2 S溶液に浸漬した後、アンモニア溶液に0.16M As2 S3 を溶解した溶液:CH3 OH=2:1に浸漬する。そして、スピン乾燥後、290〜300°Cで熱処理する。このようにして、HF溶液に1分以上浸漬した試料(c、d)は、そうではないもの(a、b)よりもPL強度が高く、表面の再結合が十分抑えられる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体結晶ウェハをフッ化水素酸溶液に1分以上浸漬した後、Sを過剰とした(NH4 )2 S溶液と、As2 S3 、アンモニア及びメタノールを混合した溶液とに順次浸漬し、乾燥後、熱処理することを特徴とする化合物半導体結晶ウェハ表面へのAs2 S3 膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 23/30 D ,  H01L 29/80 H