特許

J-GLOBAL ID：200903084095775017

高耐圧ICおよびそれに用いる高耐圧レベルシフト回路

発明者： 藤平 龍彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258472
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074198
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】高耐圧接合終端構造を挟んで配置される信号配線をボンディングワイヤで行うことで、信号配線による耐圧低下を防止し、且つ、低コスト化を図る。【解決手段】高耐圧接合終端構造HVJTがGDU1〜GDU3と高耐圧nチャネルMOSFET(HVN)および高耐圧pチャネルMOSFET(HVP)にそれぞれ設けられ、高耐圧nチャネルMOSFET(HVN)のドレイン電極DN とGDU1、高耐圧pチャネルMOSFET(HVP)のドレイン電極DP とLSUとがSIN1およびSOUT1でそれぞれ接続される。

請求項（抜粋）：

高電圧電源の高電位側に主端子の一方が接続され、負荷に主端子の他方が接続された1個以上のパワーデバイスのゲートを駆動するための高耐圧ICであって、高電圧電源の低電位側を基準とした低電圧電源により電流を供給される低電位側低耐圧回路部分と、前記パワーデバイスの主端子のうちどちらか一方を基準とした低電圧電源により電流が供給される高電位側低耐圧回路部分とを備え、低電位側低耐圧回路部分と高電位側低耐圧回路部分とがループ状の第1の高耐圧接合終端構造によって分離されたものであって、前記第1の高耐圧接合終端構造の低電位側低耐圧回路部分からの信号を高電位側低耐圧回路部分へレベルシフトして伝送するための高耐圧nチャネルトランジスタを備え、この高耐圧nチャネルトランジスタがループ状の第2の高耐圧接合終端構造を備え、この高耐圧nチャネルトランジスタのドレイン(コレクタ)電極が前記ループ状の第2の高耐圧接合終端構造のループの内側に、ソース(エミッタ)電極とゲート(ベース)電極とが前記ループ状の第2の高耐圧接合終端構造のループの外側に配置されたものであって、前記高耐圧nチャネルトランジスタのドレイン電極から前記高電位側低耐圧回路部分への信号配線が前記第1と第2の高耐圧接合終端構造をまたいで設けられ、かつ、この信号配線が前記第1と第2の高耐圧接合終端構造表面から離れて設けられたことを特徴とする高耐圧IC。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/40 Z