特許

J-GLOBAL ID：200903084096943720

SiCのパターンエッチング方法

発明者： 小枝 勝
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244149
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 単純な工程で高速にSiC基板を所望の形状にエッチングし、しかもスムーズな仕上がり面を得る。【構成】 SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、[Ar/(CBrF3 +Ar)]=50〜95%としたCBrF3 とArとの混合ガスを用いて反応性イオンビームエッチングを行なう。【効果】 SiC基板のエッチング速度がレジストのそれと同等程度となるため、リフトオフを行なうことなく、レジスト上からの直接パターンエッチングが可能となる。

請求項（抜粋）：

SiC基板上にレジスト材料によりパターンマスクを形成し、(CBrF3 +Ar)に対するArの分圧比を50〜95%としたCBrF3とArとの混合ガスから生成される反応性イオンビーム等の異方性プラズマエッチングを該基板の垂直上方から照射することによりSiC基板のエッチングを行なうことを特徴とするSiCのパターンエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  G02B 5/18 ,  H01S 3/18