半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：久保山隆 , 中山亨 , 榎本雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-040381
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261659
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】高い輝度を示す半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子を構成するように成長基板上に半導体層を積層し、電極を形成する半導体発光素子の製造方法において、いずれかの半導体層上に、粒径が0.01μm以上10μm以下の粒子を面密度2×106cm-2以上2×1010cm-2以下の範囲で配置した後、該粒子をエッチングマスクとしてドライエッチングをおこない、錐体形状または錐台形状の凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体発光素子を構成するように成長基板上に半導体層を積層し、電極を形成する半導体発光素子の製造方法において、いずれかの半導体層上に、粒径が0.01μm以上10μm以下の粒子を面密度2×106cm-2以上2×1010cm-2以下の範囲で配置した後、該粒子をエッチングマスクとしてドライエッチングをおこない、錐体形状または錐台形状の凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L21/302 105A

Fターム (21件)：

5F004AA04 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DB00 , 5F004DB19 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F041CA99

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010571 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (10件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010571 出願人：株式会社東芝
高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-212134 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ブレイエ・ユニバージテイト・ブリュッセル
エネルギービーム加工法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-043212 出願人：株式会社荏原製作所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Fabrication of GaN-based nanorod light emitting diodes using self-assemble nickel nano-mask and indu
Fabrication of GaN-based nanorod light emitting diodes using self-assemble nickel nano-mask and indu

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