特許
J-GLOBAL ID：200903084099706028
投影露光方法及び投影露光用光学マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028296
公開番号（公開出願番号）：特開平5-066553
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、例えば、半導体集積回路装置の製造過程で使用される微細フォトリソグラフィー技術に必要な投影露光方法およびそれに用いる光学マスクに関し、製造、検査及び修正が困難な高精度の位相シフトマスクを用いることなく、微細なパターンの投影露光を実現することを目的とする。【構成】 光源9からの光を光学マスク4,104に照射して、光学マスクを透過した光像をレンズ3を介してフォトレジスト膜2上に投影し、光を透過すると共に所望の露光パターンを有する主スペース6,106と、主スペースに近接して設けられ、光を透過するがこれ単独によってはフォトレジスト膜2を感光させない程度に狭い幅を有する副スペース7,110,111とからなる光学マスク4,104を用いるように構成する。
請求項（抜粋）：
光源(9)からの光を光学マスク(4,104)に照射して、該光学マスクを透過した光像をレンズ(3)を介してフォトレジスト膜(2)上に投影する投影露光方法において、光を透過すると共に所望の露光パターンを有する主スペース(6,106)と、該主スペースに近接して設けられ、光を透過するがこれ単独によっては該フォトレジスト膜(2)を感光させない程度に狭い幅を有する副スペース(7,110,111)とからなる光学マスク(4,104)を用いることを特徴とする投影露光方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 L
