特許

J-GLOBAL ID：200903084103123890

露光後ベーク装置および半導体装置の製造方法

発明者： 福原 政則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274014
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111602
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 露光後ベークした後の余熱の影響をなくし、化学増幅型レジストの寸法ばらつきを低減することができる露光後ベーク装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハの化学増幅型レジストを用いた露光処理後の熱処理を行う露光後ベーク装置であって、半導体ウェハの熱処理を行うための処理室1と、この処理室1の内部に配置され、半導体ウェハを接触状態で搭載するウェハ載置台2と、このウェハ載置台2の底面に液体を流し込む液体配管3とから構成され、露光後ベークした後は、液体配管3に液体窒素などの冷却用の液体を流し込むことにより、半導体ウェハ4を約15sec程度の短時間で、面内温度分布が約90°C以下に均一となるように強制的に冷却することができる。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを用いた露光処理後の熱処理を行う露光後ベーク装置であって、半導体ウェハの熱処理を行うための処理室と、この処理室の内部に配置され、前記半導体ウェハが接触状態で載置され、この半導体ウェハを所定の温度に昇降可能なウェハ載置台とを有し、露光後のベーク時には前記半導体ウェハを所定の温度まで上昇させ、ベーク後は前記半導体ウェハを所定の温度まで下降させることを特徴とする露光後ベーク装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 511

FI (3件)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 567