特許

J-GLOBAL ID：200903084105245445

負荷電流を無損失で検出する半導体集積回路装置

発明者： 岡田 耕太郎 ,  内海 俊一
出願人/特許権者： 日本モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281961
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113826
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 負荷電流の経路上にセンス抵抗を介挿することなく、無損失で精度よく負荷電流を検出することができること。負荷電流を検出する際に負荷電流の大きさに応じてゲインを容易に切り替えることができること。【構成】 負荷電流制御用パワー・MOS・FET(M1)と、このFET(M1)に流れる電流を一定の比率で小電流にミラーする電流センス用パワー・MOS・FET(M2)と、これら2つのFET(M1、M2)の端子電圧を一定にするためのフィードバック回路とを設けて、FET(M2)により電流検出する。電流センス用パワー・MOS・FET(M2)に流れる電流をさらに一定の比率で小電流にミラーする電流ミラー回路と、当該比率を可変にするために電流ミラー回路の一部をオン・オフするスイッチとを設けて、検出電流のゲインを切り替え可能にする。

請求項（抜粋）：

インテリジェント・パワー・MOS・ICにおいて、負荷電流を制御するためのパワー・MOS・FET(M1)と、このパワー・MOS・FET(M1)に流れる電流を一定の比率で小電流にミラーする電流センス用パワー・MOS・FET(M2)と、これら2つのパワー・MOS・FETの端子電圧を一定にするためのフィードバック回路とを備えたことを特徴とする負荷電流を無損失で検出する半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

G01R 19/00 ,  G05F 1/56 310 ,  G05F 3/26 ,  H03F 3/343 ,  H03F 3/345

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-316908
  
• 特開昭63-167277