特許
J-GLOBAL ID：200903084110323896
高圧酸素製造のための酸化物イオン導電性セラミック膜構造/微細構造
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-559158
公開番号（公開出願番号）：特表2004-532499
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
本発明は、酸化物イオン導電セラミック膜に関し、これは、ゼロでない合計厚さEを有するゼロでない有限の量を含み、固体電解質の高密度層(CD)、混合された導電性多孔質陰極(EP)及び多孔質陽極(EP’)のいわゆる結合性層(CA)、陰極集電体(CC)及び陽極集電体(CC’)、コーティング多孔質層(ER)及びコーティング多孔質層(ER’)を含むことを特徴とし、前記膜の量Eは、前記要素の厚さの合計に等しいことを特徴とする。この膜は、特に、密室中の高圧下の超高純度酸素を生成するために、空気又は酸素を含有するガス混合物から酸素を分離するために使用される。
請求項（抜粋）：
ゼロでない合計厚さTのゼロでない完成量を有し、
a)電解温度で酸化物イオンにより導電する結晶構造を有する固体電解質の、ゼロでない厚さt0で、かつ同一の又は異なる反対の外面S0及びS’0の高密度層(DL)、
b)酸化物イオンにより導電する結晶構造か、混成導電性結晶構造か、あるいはこれらの2つの結晶構造の混合物のいずれかを有し、前記高密度層(DL)の面S0に向かってプレスされ、ゼロでない厚さt1、外面S1、比表面積s1ω及び粗さR1を有する繋ぎ層(TL)と呼ばれる層、
c)同一の又は異なる化学組成で、一方が前記(TL)の面S1に向かってプレスされ、他方は前記(DL)の面S’0に向かってプレスされ、それぞれ、同一の又は異なるゼロでない面積の外面S2及びS’2、及び、同一の又は異なるゼロでない厚さt2及びt’2を有する混成導電性多孔質陰極(PE)及び混成導電性多孔質陽極(PE’)、及び、
d)同一の又は異なる化学組成で、それぞれ、前記(PE)及び(PE’)の面S2及びS’2に向かってプレスされ、それぞれ、同一の又は異なるゼロでない面積の外面S3及びS3’、及び、同一の又は異なるゼロでない厚さt3及びt’3を有する陰極集電体(CC)及び陽極集電体(CC’)、
e)前記電極、集電体、繋ぎ層及び固体電解質の材料又は材料の混合物と化学的に適合する材料又は材料の混合物から形成され、その焼結温度は、前記電極、集電体、繋ぎ層及び固体電解質の成分材料又は材料の混合物の焼結温度と非常に近く、前記(CC)の面S3に向かってプレスされる多孔質カバー層(CL)、及び、任意で、
f)前記電極、集電体及び固体電解質の材料又は材料の混合物と化学的に適合する材料又は材料の混合物からなり、その焼結温度は、前記電極、集電体、繋ぎ層及び固体電解質の成分材料又は材料の混合物の焼結温度と非常に近く、前記(CC’)の面S’3に向かってプレスされ、面S’4及びゼロでない厚さt’4を有する多孔質カバー層(CL’)
を備えることを特徴とし、
前記膜の量の厚さTは、前記各要素の厚さの合計に等しいことを特徴とする酸化物イオンにより導電するセラミック膜。
IPC (6件)：
H01M8/02
, B01D53/22
, B01D71/02
, C01B13/02
, G01N27/409
, H01M8/12
H01M8/02 K
, B01D53/22
, B01D71/02 500
, C01B13/02 Z
, H01M8/12
, G01N27/58 A
, G01N27/58 B
2G004BB01
, 2G004BE02
, 2G004BE10
, 2G004BF01
, 2G004BM07
, 2G004BM10
, 4D006GA41
, 4D006HA21
, 4D006MA02
, 4D006MA03
, 4D006MA31
, 4D006MC03X
, 4D006NA37
, 4D006NA39
, 4D006NA46
, 4D006NA47
, 4D006NA50
, 4D006PA01
, 4D006PB17
, 4D006PB62
, 4D006PC80
, 4G042BA31
, 4G042BB02
, 5H026AA06
, 5H026EE11
, 5H026HH03
