特許

J-GLOBAL ID：200903084111248286

キャパシタ及びその製造方法

発明者： 前島 幸彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196031
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 微細容量を充分な加工精度で歩留まり良く得る事のできるキャパシタ及びその製造方法を提供する事である。【解決手段】 基板上に下部電極2、誘電体層3、上部電極4、該上部電極4のエッチングの際のマスクとしての機能を有し、かつ、水素バリア性を有する第一の窒化物層5の順に積層され、前記第一の窒化物膜5、前記上部電極4、および前記誘電体層3は、該下部電極2をエッチングする際のマスクとしての機能を有し、かつ、水素バリア性を有する第二の窒化物膜7で被覆されるとともに、前記上部電極4表面から上方に延在した前記第一の窒化物膜5および前記第二の窒化物膜7を貫通するコンタクトホールを有し、該コンタクトホール、前記第二の窒化物膜7、および前記下部電極2は、絶縁膜10で被覆されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、誘電体層、上部電極、該上部電極のエッチングの際のマスクとしての機能を有し、かつ、水素バリア性を有する第一の窒化物膜の順に積層され、前記第一の窒化物膜、前記上部電極、および前記誘電体層は、該下部電極をエッチングする際のマスクとしての機能を有し、かつ、水素バリア性を有する第二の窒化物膜で被覆されるとともに、前記上部電極表面から上方に延在した前記第一の窒化物膜および前記第二の窒化物膜を貫通するコンタクトホールを有し、該コンタクトホール、前記第二の窒化物膜、および前記下部電極は、絶縁膜で被覆されていることを特徴とするキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (13件)：

5F038AC02 ,  5F038AC14 ,  5F038BH03 ,  5F038DF05 ,  5F083FR00 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21