特許

J-GLOBAL ID：200903084112433346

光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システム

発明者： 斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  松田 高一 ,  岡田 直人 ,  幸田 勇蔵 ,  松山 深照
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021490
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システムを提供する事を目的とする。【構成】 p型層、光導電層(複数のi型層からなる層)及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、光導電層は、p型層側に位置するマイクロ波PCVD法により堆積されたi型層と、n型層側に位置するRFPCVD法により堆積されたi型層とを少なくとも含む積層構造であって、マイクロ波PCVD法で堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子と炭素原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置が該i型層の中央よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、且つRFPCVD法により堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子を含み、層厚が30nm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、光導電層(複数のi型層からなる層)及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、前記光導電層は、前記p型層側に位置するマイクロ波プラズマCVD法により堆積されたi型層と、前記n型層側に位置するRFプラズマCVD法により堆積されたi型層とを少なくとも含む積層構造であって、前記マイクロ波プラズマCVD法で堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子と炭素原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置が該i型層の中央よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、且つ前記RFプラズマCVD法により堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子を含み、層厚が30nm以下であることを特徴とする光起電力素子。