特許
J-GLOBAL ID：200903084115801370
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122053
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306929
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ピエゾ電荷を、FET101を構成する基板1のゲート電極5及びドレイン電極7間のG-D間部分と、該基板の、ゲート電極5及びソース電極6間のG-S間部分とにその大きさが異なるよう発生させることにより、寄生容量の増大を招くことなく、ゲート長の短縮による基板への漏れ電流の増大を抑えて、FETの特性を向上する。【解決手段】 化合物半導体MESFET101において、基板1のG-D間部分及び基板のG-S間部分を、これらの部分に生ずる応力が異なるよう絶縁膜11及び10により被覆した。
請求項（抜粋）：
化合物半絶縁性基板と、該基板表面の所定領域上に形成されたゲート電極と、該基板表面の、該ゲート電極両側の領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域上に、該ゲート電極から所定距離離して設けられたソース電極及びドレイン電極とを備え、該化合物半絶縁性基板の表面領域における、該ゲート電極とドレイン電極との間に位置するG-D間部分と、該化合物半絶縁性基板の表面領域における、該ゲート電極とソース電極との間に位置するG-S間部分とには、互いに異なる応力が発生するよう構成した化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/872
H01L 29/80 B
, H01L 29/48 H
