特許

J-GLOBAL ID：200903084120074193

露光方法およびそれに用いるフォトマスク

発明者： 日下部 勝 ,  渡貫 祥行 ,  森内 昇
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275303
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 クロムレス型の位相シフトマスクを用いた露光プロセスの歩留りを向上させる。【構成】 クロムレス型の位相シフトマスク1に形成された位相シフタ3を用いて半導体ウエハの表面のフォトレジストに第一の露光を行った後、位相シフタ3のエッジパターンの少なくとも一部と同一の遮光パターン5を用いてフォトレジストの同一露光領域に第二の露光を行うことによって欠陥4の転写を防止する露光方法である。

請求項（抜粋）：

所定のパターンの位相シフタを有するクロムレス型の位相シフトマスクを用いて被処理物の表面のフォトレジストに第一の露光を行った後、前記位相シフタのエッジパターンの少なくとも一部と同一の遮光パターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジストの同一露光領域に第二の露光を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W