特許
J-GLOBAL ID：200903084125012110
薄膜太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004875
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199741
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】本来の光吸収層1と中間層2での光電変換に加えて、窓層3と透明電極層4での光電変換が加わり、中間層2と窓層3の間にはkTを越える電位障壁がないため、光吸収層1と中間層2での光電変換は影響を受けない構成とすることにより、窓層の電子親和力、仕事関数、バンドギャップ等の電気的特性を最適化し、高効率の薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、p型の半導体の光吸収層1、n型の半導体の中間層2、半導体の窓層3、n型の透明電極層4を順次積層する。または透明性基板上に、透明電極層4、半導体の窓層3、n型の半導体の中間層2、p型の半導体の窓層1を順次積層する。本来の光吸収層1と中間層2での光電変換に加えて、窓層3と透明電極層4での光電変換が加わり、特性の向上が図れる。
請求項（抜粋）：
電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、電子親和力がχ<SB>1</SB> で仕事関数がΦ<SB>1</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>1</SB> であるp型の半導体の光吸収層、その上に電子親和力がχ<SB>2</SB> で仕事関数がΦ<SB>2</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>2</SB> であるn型の半導体の中間層、その上に電子親和力がχ<SB>3</SB> で仕事関数がΦ<SB>3</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>3</SB> である半導体の窓層、その上に電子親和力がχ<SB>4</SB> で仕事関数がΦ<SB>4</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>4</SB> であるn型の透明電極層を順次積層し、χ<SB>1</SB> とχ<SB>2</SB>とχ<SB>3</SB> とχ<SB>4</SB> とは実質的にほぼ等しく、Eg<SB>1</SB> <Eg<SB>2</SB> <Eg<SB>3</SB> <Eg<SB>4</SB> 、Φ<SB>1</SB>>Φ<SB>2</SB> >Φ<SB>4</SB> 、Φ<SB>2</SB> ≦Φ<SB>3</SB> <Φ<SB>1</SB> で、かつΦ<SB>2</SB> とΦ<SB>3</SB> の差は大きくてもkT程度とすることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
H01L 31/04
, H01L 21/28 301
H01L 31/04 E
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 31/04 H
