特許

J-GLOBAL ID：200903084125938820

化合物結晶およびその製造法

発明者： 長澤 弘幸 ,  八木 邦明 ,  河原 孝光
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-139926
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338395
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長以外の付加的な工程を必要とせず、かつエピタキシャル成長させた結晶内に生じる反位相領域境界面や双晶のような面欠陥を低減し得る化合物半導体結晶基材及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基底面が非極性面であり、前記基底面が面極性を有する表面(極性部分表面)を部分的に有する化合物単結晶基体。前記極性部分表面は、前記基底面より表面エネルギーが高い極性部分である。基底面が非極性面であり、前記基底面が極性部分表面を部分的に有する化合物単結晶基板の前記基底面上に、基底面の法線方向に前記化合物単結晶をエピタキシャル成長させる工程、及び、成長した化合物単結晶層を基底面と平行に切断するか、または少なくとも前記基板を除去して、表面エネルギーの最も高い極性部分表面のみを部分的に有する非極性面が基底面である化合物単結晶片を得る工程を含む化合物単結晶を製造する方法。

請求項（抜粋）：

基底面が非極性面であり、前記基底面が面極性を有する表面(以下、極性部分表面という)を部分的に有する化合物単結晶基体であって、前記極性部分表面は、前記基底面より表面エネルギーが高い極性部分であることを特徴とする化合物単結晶基体。

IPC (6件)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C30B 29/36 A ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB05 ,  4G077DB07 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB01 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB21 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12