特許

J-GLOBAL ID：200903084129724972

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法

発明者： ユージーン・ワイ・チェン ,  ジョン・エム・スラウター
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353791
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 磁気エレメントのための改良されかつ新規の方法、さらに詳しくは磁気抵抗性ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)の使用を提供することを目的とする。【解決手段】 MRAM装置は、メモリ・エレメントおよびそのメモリ・エレメントを管理する回路を有する。その回路は、トランジスタ(12a),デジット線(29)等を有し、基板上に集積される。その回路は、まずCMOSプロセスで製作され、その後磁気メモリ・エレメント(43,44)は、磁気ブランケット層の一部(42b)を絶縁材料に変換することにより画定される。磁気ブランケット層は、磁気層(40,42)および磁気層によって挟まれた非磁気層(41)を含むが、伝導層(34)上に堆積される。絶縁あるいは不活性部(42b)は複数のメモリ・エレメント(43,44)を画定しかつ分離する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの磁気エレメントを製作する方法において、前記方法は、磁気エレメント・ブランケット層を堆積する段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層(40-42)を覆うマスク層を堆積する段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層を覆う前記マスク層(51)の一部を除去し、前記磁気エレメント・ブランケット層の一部を露出させる段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層の前記露出部分を変換して、絶縁性不活性部(42b)および活性部を形成する段階からなり、前記活性部は前記少なくとも1つの磁気エレメントを画定し、前記不活性部は誘電絶縁物を画定することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z