垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047943
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273399
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】放射線の大きなスペクトル純度及び簡単な電気的接続を可能にする、垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス。【解決手段】基板と、第1のリフレクタ層と、放射線を発する活性層を備えた半導体層系と、第2のリフレクタ層とを備え、第2のリフレクタ層は第1のリフレクタ層)と一緒に共振器を形成し、この共振器の軸が半導体デバイスの垂直の発光方向であり、第2のリフレクタ層は生じた放射線に対して少なくとも部分透過性であり、生じた放射線は第2のリフレクタ層を通過して半導体デバイスから外方へ放射される半導体デバイスにおいて、基板は導電性材料からなり、第1のリフレクタ層はドープしてエピタキシャル成長させた分布ブラッグ-リフレクタ層である垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイスであって、基板(10)と、前記の基板(10)上の第1のリフレクタ層(14)と、前記の第1のリフレクタ層(14)上の、窒化物化合物半導体をベースとする、特にInxGayN1-x-yをベースとする半導体層系(16)と、前記の半導体層系(16)上の第2のリフレクタ層(24)とを備え、前記の半導体層系(16)は放射線を発する活性層(18)を有し、前記の第2のリフレクタ層(24)は第1のリフレクタ層(14)と一緒に、半導体層系の主要な延在方向に対して垂直に配置された共振器を形成し、この共振器の軸(32)が半導体デバイスの垂直の発光方向であり、その際、第2のリフレクタ層(24)は活性層(18)から生じた放射線に対して少なくとも部分透過性であり、活性層から生じた放射線は第2のリフレクタ層を通過して半導体デバイスから外方へ放射される形式のものにおいて、基板(10)は導電性材料からなり、第1のリフレクタ層(14)はドープしてエピタキシャル成長させた分布ブラッグ-リフレクタ層であることを特徴とする、垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/183 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/183 , H01S 5/323 610

Fターム (14件)：

5F041AA11 , 5F041CA08 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CB02 , 5F041CB15 , 5F073AA03 , 5F073AA05 , 5F073AA11 , 5F073AA51 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

3-5族化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040032 出願人：住友化学工業株式会社
光電半導体構成素子
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-501258 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-079426 出願人：日亜化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る