半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112707
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321015
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】半導体装置に用いられるいわゆるツインウエルの形成方法の改善に関する。【構成】第1のフォトマスク11Aを用いて第1のチップ領域21の第1の不純物拡散領域15に対応する領域とスクライブライン11Bのアラインメントマーク14に対応する領域とのレジスト膜13を不完全露光し、第1のフォトマスク11Aを用いてスクライブライン11Bのアラインメントマーク14に対応する領域と、第2のチップ領域22とのレジスト膜13を不完全露光し、アラインメントマーク14に対応する領域を二重露光し、完全露光領域のレジスト膜13Cを除去し、レジスト膜13をマスクにして半導体基板11にアラインメントマーク14を形成し、レジスト膜13を全面エッチングして不完全露光領域13Aを除去して、露出した絶縁膜12を介して半導体基板11の表層に一導電型不純物を注入して、第1の不純物拡散領域15を形成すること。

請求項（抜粋）：

スクライブライン(11B)を挟んで形成された第1のチップ領域(21)と、第2のチップ領域(22)とを有する半導体基板(11)上に絶縁膜(12),レジスト膜(13)を順次形成する工程と、第1のフォトマスク(11A)を用いて、前記第1のチップ領域(21)の第1の不純物拡散領域(15)に対応する領域と、前記スクライブライン(11B)のアラインメントマーク(14)に対応する領域の前記レジスト膜(13)をステップ露光により不完全露光する工程と、前記第1のフォトマスク(11A)を用いて、前記スクライブライン(11B)の前記アラインメントマーク(14)に対応する領域と、前記第2のチップ領域(22)との前記レジスト膜(13)をステップ露光により不完全露光し、前記スクライブライン(11B)のアラインメントマーク(14)に対応する領域を二重露光させて完全露光する工程と、前記レジスト膜(13)を現像して前記完全露光された領域の前記レジスト膜(13C)を除去し、前記レジスト膜(13)をマスクにして前記絶縁膜(12)及び前記半導体基板(11)をエッチング・除去し、前記半導体基板(11)にアラインメントマーク(14)を形成する工程と、前記レジスト膜(13)を全面エッチングして、前記第1の不純物拡散領域(15)に対応する不完全露光領域(13A)を除去して前記絶縁膜(12)を露出する工程と、露出した前記絶縁膜(12)を介して前記半導体基板(11)の表層に一導電型不純物を注入して、第1の不純物拡散領域(15)を形成する工程と、前記レジスト膜(13)を剥離したのちに再びレジスト膜(16)を形成し、前記アラインメントマーク(14)を用いて第2のフォトマスクと前記半導体基板(11)とを位置合わせし、前記レジスト膜(16)の第2の不純物拡散領域(17)に対応する領域を完全に露光したのちに現像して露光領域を除去し、これをマスクにして逆導電型不純物を前記半導体基板(11)の表層に注入して第2の不純物拡散領域(17)を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , H01L 21/266 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/30 502 M , H01L 21/265 M , H01L 21/78 L

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