特許
J-GLOBAL ID:200903084135297229

半導体素子用ボンディングワイヤ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 明田 莞
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-251520
公開番号(公開出願番号):特開平10-098061
出願日: 1996年09月24日
公開日(公表日): 1998年04月14日
要約:
【要約】【課題】 ワイヤ最外部が金よりなり、その内側に銅または銅合金よりなる芯材を有する半導体素子用ボンディングワイヤにおいて、半導体ICチップに損傷を与えることなく、半導体ICチップの電極パッドと外部リードとを確実に接続しうる信頼性の高いボンディングを行うことができるものを得ること。【解決手段】 ボンディングワイヤ断面における〔異種金属接触界面長〕/〔ワイヤ外周長〕で表される比が1以上で、かつ、ボンディングワイヤ断面積に占める金部分の断面積の比率が20〜80%の範囲であるもの。
請求項(抜粋):
ワイヤ最外部が金よりなり、その内側に銅または銅合金よりなる芯材を有する半導体素子用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤ断面における〔異種金属接触界面長〕/〔ワイヤ外周長〕で表される比が1以上で、かつ、ボンディングワイヤ断面積に占める金部分の断面積の比率が20〜80%の範囲であることを特徴とする半導体素子用ボンディングワイヤ。

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