特許
J-GLOBAL ID：200903084143900350
半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340526
公開番号（公開出願番号）：特開2003-138101
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【解決手段】 (A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン R1mR2nSi(OR3)p(OH)qO(4-m-n-p-q)/2 ...(1)(E)下記平均組成式(2)で示されるホスファゼン化合物【化1】を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まない半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れるとともに、難燃性及び耐湿信頼性に優れた硬化物を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)下記平均組成式(1)で表されるオルガノポリシロキサン R<SP>1</SP><SB>m</SB>R<SP>2</SP><SB>n</SB>Si(OR<SP>3</SP>)<SB>p</SB>(OH)<SB>q</SB>O<SB>(4-m-n-p-q)/2</SB> ...(1)(但し、R<SP>1</SP>はフェニル基、R<SP>2</SP>は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R<SP>3</SP>は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、m,n,p,qは、0≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8を満足する数である。)(E)下記平均組成式(2)で示されるホスファゼン化合物【化1】[但し、Xは単結合、又はCH<SB>2</SB>、C(CH<SB>3</SB>)<SB>2</SB>、SO<SB>2</SB>、S、O及びO(CO)Oから選ばれる基であり、YはOH、SH又はNH<SB>2</SB>であり、R<SP>4</SP>は炭素数1〜4のアルキル基及びアルコキシ基、NH<SB>2</SB>、NR<SP>5</SP>R<SP>6</SP>並びにSR<SP>7</SP>から選ばれる基であり、R<SP>5</SP>,R<SP>6</SP>,R<SP>7</SP>は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。d,e,f,nは、0≦d≦0.25n、0≦e<2n、0≦f≦2n、2d+e+f=2n、3≦n≦1000を満足する数である。]を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。
IPC (7件)：
C08L 63/00
, C08G 59/40
, C08K 3/00
, C08K 5/5399
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08L 83:04
C08L 63/00 C
, C08G 59/40
, C08K 3/00
, C08K 5/5399
, C08L 83:04
, H01L 23/30 R
4J002CD00W
, 4J002CD02W
, 4J002CD03W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD07W
, 4J002CD17W
, 4J002CP03X
, 4J002CP04X
, 4J002CP05X
, 4J002EW156
, 4J002FD01
, 4J002FD136
, 4J002FD14
, 4J002FD15
, 4J002GQ00
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AA02
, 4J036AD01
, 4J036AE05
, 4J036AF05
, 4J036AF06
, 4J036AF15
, 4J036AF19
, 4J036AJ05
, 4J036AJ08
, 4J036DC02
, 4J036DC05
, 4J036DC40
, 4J036DD07
, 4J036FA12
, 4J036GA04
, 4J036GA06
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB13
, 4M109EC20
