特許
J-GLOBAL ID：200903084144756430
圧電体素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099456
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290035
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 圧電体膜の圧電特性が向上した圧電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 PZT膜4と、PZT膜4を挟んで配置される上電極5と下電極3と、を備えた圧電体素子であって、PZT膜4は、その構成元素として鉛、ジルコニウム及びチタンを含有しており、前記ジルコニウム及びチタンは、PZT膜4の膜厚方向に濃度勾配をもって含有されている。このジルコニウムの含有濃度は、下電極3側を小さく、上電極5側を大きくし、チタンの含有濃度は、下電極3側を大きく、上電極5側を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
圧電体膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、その構成元素として鉛、ジルコニウム及びチタンを含有し、前記ジルコニウム及びチタンは、当該圧電体膜の膜厚方向に濃度勾配をもって含有される圧電体素子。
IPC (5件)：
H01L 41/187
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, C04B 35/46
, H01L 41/24
H01L 41/18 101 D
, B41J 3/04 103 A
, C04B 35/46 J
, H01L 41/22 A
