特許
J-GLOBAL ID：200903084148043110
熱電装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109919
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321379
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半田層を従来に比べ大幅に厚く形成することが容易に可能であり、熱応力に対する耐久性の向上をはかり、信頼性の高い熱電装置を提供する。【構成】 本発明の第1の特徴は、熱電半導体13と電極15とに、接触電極としてそれぞれ溶融温度の異なる第1および第2の半田層16a,16bを形成しておき、熱電半導体と電極との接続に際し、第1および第2の半田層の一方が溶融し、他方は溶融しない温度で加圧し接合するようにしたことにある。
請求項（抜粋）：
ペルチェ効果を有する半導体材料からなる熱電素子本体を形成する工程と、この熱電素子本体の両端に相対向して第1の半田層を形成する第1の半田層形成工程と、前記熱電素子本体を接合すべき電極表面に、前記第1の半田層とは融点の異なる第2の半田層を形成する工程と、前記熱電素子本体と電極とを、前記第1または第2の半田層の一方が溶融し、他方は溶融しない温度で加圧し接合する接合工程とを含む熱電装置の製造方法。
IPC (2件)：
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