特許

J-GLOBAL ID：200903084149337185

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 稲増 崇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151719
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 ドープ層単層での膜厚方向の微視構造を制御した光電変換効率の高い薄膜太陽電池を提供し、また、前記薄膜太陽電池の製造方法を提供することである。【解決手段】 薄膜太陽電池を構成する基板1上に形成された光電変換ユニットは、n層17、i層4、p層18の順に堆積した部分を含み、i層4上のp層18が結晶成分を含むシリコン系薄膜である太陽電池であって、p層18の結晶化率が、i層4から遠い側よりi層4に近い側の方が大きい構成とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットは、p、i、n層、またはn、i、p層の順に堆積した部分を含み、前記i層上のpまたはn層が結晶成分を含むシリコン系薄膜である太陽電池において、前記i層上のpまたはn層の結晶化率が、i層から遠い側よりi層に近い側の方が大きいことを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA03 ,  4K030HA03 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06 ,  4K030JA18 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045CA13 ,  5F045DA59 ,  5F045DA61 ,  5F045EE14 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04