特許
J-GLOBAL ID：200903084150726110
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322404
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151657
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップの熱を良好に放出することができ且つ容易に製造することができる半導体装置を提供する。【構成】 ヒートシンク6をアルミニウム板6aとアルミナ層6bとで構成する。アルミナ層6bの上にエポキシレジンを塗布して半導体チップ1の支持体2を仮固定し、しかる後、エポキシレジンを硬化することによって絶縁膜7を得る。この絶縁膜7を接着材として使用すると共に絶縁材としても使用し、更にアルミナ層6bの絶縁性向上にも使用する。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、一方の主面に前記半導体チップが固着された導電性を有するチップ支持体と、前記半導体チップを外部回路に接続するための外部リードと、前記半導体チップの熱を放出するために前記チップ支持体の他方の主面に対向配置された放熱体と、前記チップ支持体と前記放熱体との間に配置された絶縁膜とを備え、前記放熱体がアルミニウム板とこのアルミニウム板の一方の主面上に形成されたアルミナ層とから成り、前記絶縁膜が前記アルミナ層と前記チップ支持体とを接着する材料から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 23/29
, H01L 23/50
H01L 23/36 D
, H01L 23/36 A
