特許
J-GLOBAL ID：200903084155172015
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267328
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造のMOS型電界効果トランジスタの製造方法に関し,低不純物濃度および高不純物濃度のソース・ドレイン拡散層を1回のイオン注入によって形成できるようにして,製造工程を短縮化させると共に,低濃度のソース・ドレイン領域を制御性良く形成できるようにする。【構成】 半導体基板11上に,ゲート絶縁膜12およびゲート電極13を形成する。As+ イオンを,全面にイオン注入する。ゲート電極13の両側に,絶縁膜から成るサイドウォール15a,15bを形成する。ウエット雰囲気中で低温の熱処理を行い,サイドウォール15a,15b直下の不純物濃度を低減させる。不活性雰囲気中で高温の熱処理を行って,イオン注入された不純物を活性化して,n- 型ソース16とn+ 型ソース18とから成るソース領域,およびn- 型ドレイン17とn+ 型ドレイン19とから成るドレイン領域を形成する。
請求項（抜粋）：
ソース領域が高不純物濃度拡散層と低不純物濃度拡散層とから成り,ドレイン領域が高不純物濃度拡散層と低不純物濃度拡散層とから成る,MOS型電界効果トランジスタの製造方法であって,一導電型の半導体基板上に,ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と,反対導電型の不純物イオンを,全面にイオン注入する工程と,ゲート電極の両側に,絶縁膜から成るサイドウォールを形成する工程と,水蒸気雰囲気中で低温の熱処理を行い,サイドウォール直下の不純物濃度を低減させる工程と,不活性雰囲気中で高温の熱処理を行って,イオン注入された不純物を活性化して,高不純物濃度拡散層と低不純物濃度拡散層とから成るソース領域,および高不純物濃度拡散層と低不純物濃度拡散層とから成るドレイン領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
