特許

J-GLOBAL ID：200903084157257344

太陽電池用基板、その製造方法および薄膜太陽電池

発明者： 内田 仁 ,  石上 正幸 ,  城内 優 ,  和田 重孝
出願人/特許権者： アイシン化工株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012516
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216414
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 薄膜太陽電池の製造にかかる工程およびコストが低くできる太陽電池用基板、その製造方法および薄膜太陽電池を提供すること。【解決手段】 本発明の太陽電池用基板11は、導電性のセラミックス焼結体よりなることを特徴とする。本発明の太陽電池用基板は、導電性を有する基板であるため、太陽電池を作成したときに、シリコン半導体21との間の中間層をもうけなくともよくなり、太陽電池のコストを低下させる効果を有する。

請求項（抜粋）：

導電性のセラミックス焼結体よりなることを特徴とする太陽電池用基板。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/573 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

H01L 31/04 M ,  H01M 14/00 P ,  C04B 35/56 101 D ,  C04B 35/56 101 V

Fターム (30件)：

4G001BA22 ,  4G001BA60 ,  4G001BA62 ,  4G001BA63 ,  4G001BA67 ,  4G001BA68 ,  4G001BB22 ,  4G001BB60 ,  4G001BB62 ,  4G001BB63 ,  4G001BB67 ,  4G001BB68 ,  4G001BC47 ,  4G001BD22 ,  4G001BD38 ,  4G001BE33 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA16 ,  5F051GA02 ,  5F051GA20 ,  5F051HA03 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032CC30 ,  5H032HH01 ,  5H032HH08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-077172
  
• 特開昭63-201062