特許
J-GLOBAL ID：200903084167395575
薄膜結晶製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-201792
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】分子線源のシャッタ操作を用いずに分子線を交互供給するMEE成長を行なう。【構成】分子線源2から基板ホルダ3に至る空間に、分子線間を隔てるように遮蔽板4を配置する。【効果】基板ホルダの回転などで基板を移動するだけで、MEE法が可能になり、平坦性の良好なエピタキシャル成長ができる。
請求項（抜粋）：
基板結晶の位置によって、III 族元素とV族元素が別々に照射されるようにIII 族分子線とV族分子線との間に遮蔽板を設け、前記基板結晶の移動により前記III 族元素と前記V族元素を交互に照射することを特徴とする薄膜結晶製造装置。
IPC (2件)：
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