パターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176411
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044084
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体極微細加工のリソグラフィにおいて,露光によって形成した潜像を通常のウェット現像処理を用いず,ドライエッチング等でパターン形成を行なうドライ現像方法を提供する。【構成】反応ガスの重合によってフェニル基等を含む耐ドライエッチング性の高いレジスト膜2を被加工基板3上に堆積させた後,電離放射線4の露光によってレジスト膜2の表面ないしは内部にラジカル5を発生させる。次にレジスト膜2をSi含有モノマー6雰囲気中に曝し,ラジカル5にSi含有モノマーグラフト重合させる。次に酸素で反応性イオンエッチングを行い露光部のラジカル5にグラフト重合したSi含有モノマー6中のSiを酸化してエッチングマスクとなり,ネガ型のレジストパターン8が形成される。さらにレジストパターン8をマスクとして,ドライエッチングによって基板3の加工を行なう。

請求項（抜粋）：

高周波ないしはマイクロ波等の電磁波,光ないしは電子等の電離放射線を用いて反応ガス種を励起させ,基板上に重合反応を用いて少なくとも1つ以上のフェニル基を含有するポリメタクリレートまたはその誘導体,あるいはポリスチレンまたはその誘導体からなるレジスト膜を堆積させる工程,基板上に成膜したレジストに電離放射線を露光し,露光部のレジスト表面ないしは内部にポリマーのラジカルを発生させる工程,該ラジカルにモノマーをグラフト重合させ,露光部と未露光部のエッチング特性の差異を利用してドライエッチングによってレジストパターンを形成する工程,該レジストパターンをマスクとしてドライエッチングによって基板を加工する工程,により基板を所望のパターン状に加工することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 512 , G03F 7/038 505 , G03F 7/36 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 569 H , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-042648
特開昭58-186935
特開昭63-297435

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