特許

J-GLOBAL ID：200903084178091586

半導体装置形成用結晶とその製造方法

発明者： 江部 広治 ,  澤田 亮
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217890
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 赤外線撮像装置形成用結晶に関し、基板とその上にエピタキシャル成長する化合物半導体結晶の間の格子不整合を少なくした結晶を得ることを目的とする。【構成】 半導体基板4上に化合物半導体結晶5をエピタキシャル成長し、該エピタキシャル成長した化合物半導体結晶5に受光素子を、前記半導体基板4に前記受光素子で検知された検知信号を処理する信号処理素子を設ける半導体装置形成用結晶であって、面方位が(111)面である半導体基板4の<hkl>(但しh=1、k=-1、l=0)方向と、その上にエピタキシャル成長する化合物半導体結晶5の<hkl>(但しh=1、k=-1、l=0)方向とが30度の角度を位置ずれしてエピタキシャル成長されていることで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(4) 上に化合物半導体結晶(5) をエピタキシャル成長させて形成した半導体装置形成用結晶であって、面方位が(111)面である半導体基板(4) の<hkl>(但しh=1、k=-1、l=0)方向と、その上にエピタキシャル成長する化合物半導体結晶(5)の<hkl>(但しh=1、k=-1、l=0)方向とが30度の角度を位置ずれしてエピタキシャル成長されていることを特徴とする半導体装置形成用結晶。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/365 ,  H01L 31/0264