特許

J-GLOBAL ID：200903084179281028

高アスペクト比を有するレジストパターン形成方法

発明者： ▲浜▼崎 幸夫
出願人/特許権者： 東京瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088159
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 従来とまったく同じ装置を用いて100μm以上の高さ(深さ)と高アスペクト比とを有するポジ型レジストパターンを容易にかつ短時間で形成することができるレジストパターン形成方法を提供することである。【構成】 本発明のレジストパターン形成方法は、ポジ型レジストを複数回重ね塗りすることによって基板1上に100μm以上の膜厚を有するレジスト膜2を形成することと、該レジスト膜2の固化及び基板への密着性向上のためにレジスト膜2にプリベイクを施すことと、固化したレジスト膜2に露光及び現像からなる処理パターンを複数回繰り返して行うことの各ステップを含む。

請求項（抜粋）：

ポジ型レジストを複数回重ね塗りすることによって基板上に100μm以上の膜厚を有するレジスト膜を形成することと、該レジスト膜の固化及び基板への密着性向上のためにレジスト膜にプリベイクを施すことと、固化したレジスト膜に露光及び現像からなる処理パターンを複数回繰り返して行うことの各ステップからなることを特徴とする高アスペクト比を有するレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 501

FI (4件)：

H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 569 F