特許

J-GLOBAL ID：200903084179296254

有機半導体素子

発明者： 吉澤 淳志
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205635
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047882
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】電極間の漏れ電流の発生を抑制した有機半導体素子を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたp型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、p型有機半導体層の中間に介在されたn型有機半導体層と、n型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたn型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、n型有機半導体層の中間に介在されたp型有機半導体層と、p型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたp型有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記p型有機半導体層の中間に介在されたn型有機半導体層と、前記n型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備えたことを特徴とする有機半導体素子。

IPC (4件)：

H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

FI (4件)：

H01L29/80 V ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L29/28

Fターム (9件)：

3K007AB05 ,  3K007BA06 ,  3K007CC04 ,  3K007DB03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01