特許
J-GLOBAL ID：200903084193572353
荷電粒子線露光用透過マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049470
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130655
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の製造工程等において使用される荷電粒子線露光用透過マスクの製造方法に関し、透過孔パターンをエッチングするためのマスク層を形成する工程の熱ストレスによって脆弱な薄膜部が割れるのを防ぐ。【構成】 第1のSi板1によって支持された第2のSi板等3の上に、第1のエッチングマスク層となる低温あるいは高温CVD-SiO2 層,熱酸化SiO2 層4を形成し、この第1のエッチングマスク層4の上と第1のSi板1の表面全体に第2のエッチングマスク層となるSi3 N4 層5を形成し、第2のエッチングマスク層5の第1のSi板1の裏面側に形成された開口6を通してSi板1をエッチング除去して第2のSi板からなる薄膜部を形成し、第2のエッチングマスク層5を除去した後、第1のエッチングマスク層4に形成された開口8を通して薄膜部をエッチングして透過孔パターン9を形成する。
請求項（抜粋）：
支持基板によって支持された薄膜部となる材料の上に、第1のエッチングマスク層を形成する工程と、該第1のエッチングマスク層上と該支持基板の表面全体に第2のエッチングマスク層を形成する工程と、該第2のエッチングマスク層の該支持基板の裏面側に形成された開口を通して該支持基板をエッチング除去して薄膜部を残す工程と、該第2のエッチングマスク層を除去する工程と、該第1のエッチングマスク層に形成された開口を通して薄膜部をエッチングして透過孔パターンを形成する工程を含むことを特徴とする荷電粒子線露光用透過マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 341 P
, H01L 21/30 341 R
