特許
J-GLOBAL ID：200903084196617919
半導体禁制帯幅の評価方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031895
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 電界効果トランジスタにおいて、光照射によって引き起こされる衝突イオン化による電流増加を利用して、禁制帯幅を評価するもので、ヘテロ接合FETのように異なる半導体が積層されている場合にもチャネル層、ドナー層それぞれの禁制帯幅を同時にしかも簡便に評価する方法を提供する。【構成】 電界効果トランジスタに、あらかじめドレイン電流が飽和を始めるドレイン電圧値(Vk)を印加し、これに単色光を上方または下方より照射し、光照射時に半導体に吸収されたエネルギーによって誘引される衝突イオン化の影響によるドレイン電流変化量を検出するものである。試料に励起光源(11)より光を照射し、あらかじめバイアス印加しておいた電流量の変化だけを半導体パラメータ・アナライザ(15)で検知する。従来のPL法、光吸収法等に比べ、極めて簡便に禁制帯幅を測定することができる。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタにおいて、光照射時に起こる衝突イオン化による電流増加を利用し、単色光あるいは波長が連続的に可変の光源を照射し、その時の電流変化を検出することを特徴とする半導体禁制帯幅の評価方法。
IPC (2件)：
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