メンブレンを有する半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332751
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133602
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板の一面側からメンブレンおよびメンブレン下の空洞部を形成してなる赤外線センサにおいて、犠牲層のディッシングを起こすことなくCMP技術により平坦なメンブレンを得る。【解決手段】シリコン基板10の一面11上に耐研磨性に優れエッチングが可能な酸化シリコン膜12を形成し、この酸化シリコン膜12に溝16を形成した後、エッチングに対する耐性を有し且つ酸化シリコン膜12よりも研磨性に優れた多結晶シリコン膜14を、溝16の内部に充填しつつ酸化シリコン膜12の上に形成する。次に、酸化シリコン膜12をストッパとして、多結晶シリコン膜14をCMP法にて研磨して酸化シリコン膜12の上面を平坦面とし、その上にメンブレン20を形成する。続いて、メンブレン20に形成したエッチングホール28、29を介して酸化シリコン膜12をエッチングすることにより空洞部13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(10)の一面(11)側に、エッチングにより空洞部(13)を形成するとともに前記空洞部を覆うようにメンブレン(20)を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の一面上に耐研磨性に優れ前記エッチングが可能な材料よりなる第1の膜(12)を形成する工程と、前記第1の膜において前記空洞部となるべき部位の外周部に、前記半導体基板の一面に到達する溝(16)を形成する工程と、前記エッチングに対する耐性を有し且つ前記第1の膜よりも研磨性に優れた材料よりなる第2の膜(14)を、前記溝の内部に充填しつつ前記第1の膜の上に形成する工程と、前記第1の膜をストッパとして、前記第1の膜の上の前記第2の膜を化学的機械的研磨(CMP)法にて研磨することにより除去し、前記第1の膜の上面を平坦面とする工程と、平坦面となった前記第1の膜の上面に前記メンブレンを形成する工程と、前記メンブレンのうち前記空洞部に対応する部位に、前記メンブレンの表面から前記第1の膜に到達するエッチングホール(28、29)を形成する工程と、前記エッチングホールを介して、前記第1の膜をエッチングして除去することにより、前記空洞部を形成する工程とを備えることを特徴とするメンブレンを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 35/34 , G01J 1/02 , G01J 5/02 , H01L 29/84 , H01L 35/14 , H01L 35/32

FI (6件)：

H01L 35/34 , G01J 1/02 C , G01J 5/02 B , H01L 29/84 Z , H01L 35/14 , H01L 35/32 A

Fターム (21件)：

2G065AB02 , 2G065BA11 , 2G065DA20 , 2G066BA08 , 2G066BA55 , 4M112AA10 , 4M112BA10 , 4M112CA01 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA06 , 4M112DA08 , 4M112DA09 , 4M112DA11 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA14

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