特許

J-GLOBAL ID：200903084199911680

半導体装置の製造方法

発明者： 堀 充明 ,  井上 文彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247472
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116053
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、酸化膜中の固定電荷が少なく、界面準位密度が少なく、ストレス印加に対して強く、且つ、基板への不純物突き抜け防止作用のあるゲート酸化膜を形成する。【構成】 ゲート酸化膜の形成工程において、ドライO2 、ウエット雰囲気等の酸化剤中に、Cl或いはF等のハロゲン元素を含むガスを添加した雰囲気中で、シリコン半導体基板を酸化処理し、次いで、窒化雰囲気中で熱処理する。

請求項（抜粋）：

酸化剤中にハロゲン元素を含むガスを添加した雰囲気中で、シリコン半導体基板を酸化処理し、次いで、窒化雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316